Bloomberg — Samsung Electronics Co. ha dado a conocer su hardware de memoria más avanzado, destacando su mayor rendimiento y eficiencia energética en un intento por superar a sus rivales SK Hynix Inc. (SKHY) y Micron Technology Inc. (MU) en la carrera por el dominio a largo plazo.
El nuevo sistema apila verticalmente memoria de gran ancho de banda sobre aceleradores de IA, lo que ofrece aproximadamente ocho veces el rendimiento de la HBM5 de próxima generación, según ha indicado Samsung en un comunicado. Mediante el uso de tecnología avanzada de unión de obleas, el sistema alcanzará además más de diez veces la densidad de memoria de la HBM5, al tiempo que permitirá diseños personalizados. Samsung tiene la intención de aumentar la producción de HBM4 en la segunda mitad de este año. Aún no ha ofrecido un calendario definitivo para la HBM5 ni para esta tecnología futura.
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El impulso tecnológico de Samsung se produce en un momento en que se libra una feroz competencia en el mercado de la memoria, valorado en cerca de un billón de dólares, donde Samsung se enfrenta a SK Hynix, que se afianzó desde el principio en el auge de la memoria para IA, y a la empresa estadounidense Micron. A medida que los gigantes de la memoria compiten por hacerse con lucrativos contratos de centros de datos y ampliar la producción, introducir una arquitectura de próxima generación antes que la competencia se ha convertido en algo vital para garantizar los compromisos de los principales clientes.
El nuevo sistema, conocido como zHBM, pone de relieve los esfuerzos de Samsung por posicionarse como proveedor integral de infraestructura para la era de la IA. La empresa también presentó zNAND-O, una solución NAND de próxima generación basada en su tecnología V-NAND, que, según afirmó, ofrece un mejor soporte para aplicaciones de IA en tiempo real que requieren un uso intensivo de datos.
Samsung presentó asimismo la primera arquitectura V10 BV-NAND del sector, que cuenta con una nueva arquitectura de unión de obleas con más de 400 capas. Aumenta la densidad de almacenamiento en casi un 60% en comparación con la generación anterior, al tiempo que mejora las velocidades de lectura y escritura. Junto a esta visión de hardware, Samsung también presentó una hoja de ruta de productos que incluye chips de procesamiento en memoria de última generación y soluciones de almacenamiento empresarial de alta capacidad.
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